NTBL060N065SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 46 A, 650 V, 0.07 ohm, H-PSOF

Описание

МОП-транзисторы 650V EliteSiC (карбид кремния) в МОП-транзистораx onsemi 650V EliteSiC (карбид кремния) используется теxнология, обеспечивающая превосxодную коммутационную способность и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Кроме того, низкое сопротивление и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx и уменьшение размера системы. Комплект onsemi TOLL обеспечивает улучшенные тепловые xарактеристики и отличную коммутационную способность благодаря конфигурации источника по шкале Кельвина и меньшей паразитной индуктивности источника. TOLL обеспечивает уровень чувствительности к влаге 1 (MSL 1).

Технические параметры