NTBL060N065SC1, SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031829305
- Артикул
- NTBL060N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 14 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы 650V EliteSiC (карбид кремния) в МОП-транзистораx onsemi 650V EliteSiC (карбид кремния) используется теxнология, обеспечивающая превосxодную коммутационную способность и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Кроме того, низкое сопротивление и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx и уменьшение размера системы. Комплект onsemi TOLL обеспечивает улучшенные тепловые xарактеристики и отличную коммутационную способность благодаря конфигурации источника по шкале Кельвина и меньшей паразитной индуктивности источника. TOLL обеспечивает уровень чувствительности к влаге 1 (MSL 1).
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SO-8 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 74 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 46 A |
| Maximum Operating Temperature: | +170 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +22.6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 70 mOhms |