NTBL045N065SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 73 A, 650 V, 0.05 ohm, H-PSOF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046383273
- Артикул
- NTBL045N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NTBL045N065SC1
- Fall Time:
- 7 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 1 610 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В МОП-транзистораx серии ON Semiconductor NTB на основе карбида кремния используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную производительность коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | NTBL045N065SC1 |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N |
| Package Type | HPSOF8L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PSOF-8L |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 105 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 348 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 73 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 73 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |