Моя заявка (0)
NTBL045N065SC1, H-PSOF8L(9.9x11.68) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026249067
Артикул
NTBL045N065SC1
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series:
NTBL045N065SC1
Fall Time:
7 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 2 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В МОП-транзистораx серии ON Semiconductor NTB на основе карбида кремния используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную производительность коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.

Технические параметры

Brand:onsemi
Series:NTBL045N065SC1
Fall Time:7 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:14 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Channel TypeN
Package TypeHPSOF8L
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PSOF-8L
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:105 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:348 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +22 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Maximum Drain Source Voltage650 V
Typical Turn-Off Delay Time:26 ns
Id - Continuous Drain Current:73 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:16 S
Maximum Continuous Drain Current73 A
Rds On - Drain-Source Resistance:50 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация