Моя заявка (0)

NTBGS6D5N15MC, MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL

NTBGS6D5N15MC, MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005375337
Артикул
NTBGS6D5N15MC
Бренд
ON Semiconductor***
Series
NTB
Pin Count
7
Вес, г
7
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 744,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Power МОП-транзистор, 150 V, 6.5 mO, A, Single N-Channel, D2PAK7

Технические параметры

SeriesNTB
Pin Count7
Вес, г7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation238Вт
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокD2PAK-7
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance0.004 Ω
Drain Source On State Resistance0.0055Ом
Maximum Continuous Drain Current121 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока121А
Рассеиваемая Мощность238Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Размер фабричной упаковки800
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0055Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация