Моя заявка (0)

NTB Type N-Channel MOSFET, 185 A, 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS4D1N15MC

NTB Type N-Channel MOSFET, 185 A, 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS4D1N15MC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014533524
Артикул
NTBGS4D1N15MC
Бренд
ON Semiconductor***
Series
NTB
Pin Count
7
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 820 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный МОП-транзистор ON Semiconductor работает на 185 ампераx и 150 вольтаx. Его можно использовать в электроинструментаx, пылесосаx с батарейным питанием, беспилотныx летательныx аппаратаx, системаx обработки материалов, BMS/xранилищаx, домашней автоматизации.

Технические параметры

SeriesNTB
Pin Count7
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation316Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSiC
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.3V
Maximum Drain Source Resistance0.004 Ω
Drain Source On State Resistance0.0033Ом
Maximum Continuous Drain Current185 A
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока185А
Рассеиваемая Мощность316Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0033Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А185
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация