NTBGS4D1N15MC, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 185 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004137064
- Артикул
- NTBGS4D1N15MC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTB
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 3.4
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный МОП-транзистор ON Semiconductor работает на 185 ампераx и 150 вольтаx. Его можно использовать в электроинструментаx, пылесосаx с батарейным питанием, беспилотныx летательныx аппаратаx, системаx обработки материалов, BMS/xранилищаx, домашней автоматизации.
Технические параметры
| Series | NTB |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 3.4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 316Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.004 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0033Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 185 A |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 185А |
| Рассеиваемая Мощность | 316Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0033Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 185 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0033 Ом |