Моя заявка (0)

NTBGS3D Type N-Channel MOSFET, 127 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS3D5N06C

NTBGS3D Type N-Channel MOSFET, 127 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS3D5N06C

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014563318
Артикул
NTBGS3D5N06C
Бренд
ON Semiconductor***
Series
NTBGS3D
Pin Count
7
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 1 070 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП−транзистор ON Semiconductor мощностью 60 В использовал ток стока 127 А с одним N-каналом. Он обладает более низким уровнем коммутационныx шумов/ электромагнитныx помеx и минимизирует потери проводимости.

Технические параметры

SeriesNTBGS3D
Pin Count7
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-263-7
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation115Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ОсобенностиEnhancement Mode
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.0037 Ω
Drain Source On State Resistance0.0031Ом
Maximum Continuous Drain Current127 A
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока127А
Рассеиваемая Мощность115Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)12В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0031Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А127
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация