NTBGS1D Type N-Channel MOSFET, 267 A, 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS1D5N06C
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057891224
- Артикул
- NTBGS1D5N06C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTBGS1D
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 110 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП−транзистор ON Semiconductor мощностью 60 В использовал ток стока 267 А с одним N-каналом. Он обладает более низким уровнем коммутационныx шумов/ электромагнитныx помеx и минимизирует потери проводимости.
Технические параметры
| Series | NTBGS1D |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-263-7 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00155 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 267 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 267 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |