Моя заявка (0)

onsemi NTBGS N-Channel MOSFET, 342 A, 60 V, 7-Pin D2PAK NTBGS001N06C

onsemi NTBGS N-Channel MOSFET, 342 A, 60 V, 7-Pin D2PAK NTBGS001N06C

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064073275
Артикул
NTBGS001N06C
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series
NTBGS
Pin Count
7
Fall Time:
31.7 ns
Цена по запросу
(от 661,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП−транзистор ON Semiconductor мощностью 60 В использовал ток стока 342 А с одним N-каналом. Он обладает более низким уровнем коммутационныx шумов/ электромагнитныx помеx и минимизирует потери проводимости.

Технические параметры

Brand:onsemi
SeriesNTBGS
Pin Count7
Fall Time:31.7 ns
Rise Time:23.3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-263-7
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:D2PAK-7
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Power Dissipation245Вт
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:139 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:3.7 W
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:41.1 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:92 ns
Id - Continuous Drain Current:342 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0011 Ω
Drain Source On State Resistance890мкОм
Maximum Continuous Drain Current342 A
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Непрерывный Ток Стока342А
Рассеиваемая Мощность245Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)12В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)890мкОм

Техническая документация