NTBG160N120SC1, SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375336
- Артикул
- NTBG160N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTB
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 019,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Технические параметры
| Series | NTB |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | SiC |
| Power Dissipation (Pd) | 136W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 33.8nC@20V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 678pF@800V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 19.5A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 225 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 19.5 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5.87pF@800V |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.3V@2.5mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 136 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 160mΩ@20V, 12A |