NTB Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG080N120SC1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014537358
- Артикул
- NTBG080N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 1 970 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В N-канальном МОП-транзисторе на основе полупроводникового карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную производительность коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевым.
Технические параметры
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 179Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | SiC |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.08Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263HV(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |