NTBG080N120SC1, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004138592
- Артикул
- NTBG080N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 3.4
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- D2PAK(TO-263)
Цена по запросу
(от 2 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Silicon Carbide МОП-транзистор, N-Channel, 1200 V, 80 mO, D2PAK-7L
Технические параметры
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 3.4 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 179Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | SiC |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.08Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263HV(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.08 Ом |