NTBG060N090SC1, 900V 44A 43mOhm@18V,20A 211W 2.7V@5mA 12pF@450V N Channel 1.8nF@450V 88nC@15V -55°C~+175°C@(Tj) D2PAK-7 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646569
- Артикул
- NTBG060N090SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.9
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 211Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 2 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1.9 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 211Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Drain Source On State Resistance | 0.06Ом |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 44А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 900В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263HV(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@5mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 211 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 43мОм |