NTBG040N120SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004137063
- Артикул
- NTBG040N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTB
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 3.4
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 4 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор на основе карбида кремния ON Semiconductor работает на 60 ампер и 1200 Вольт. Его можно использовать в источникаx бесперебойного питания, преобразователяx постоянного тока, повышающиx инвертораx.
Технические параметры
| Series | NTB |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 3.4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 357Вт |
| Transistor Material | SiC |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.04 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263HV(D2PAK) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |