NTBG040N120M3S, SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024596162
- Артикул
- NTBG040N120M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 1 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SIC-МОП-транзистор NTBG022N120M3S 1200 В серии M3S onsemi NTBG022N120M3S 1200 В серии M3S SiC (карбидокремниевый) МОП-транзистор onsemi NTBG022N120M3S 1200 В серии M3S оптимизирован для приложений с быстрым переключением и имеет низкое сопротивление между стоком и источником (22 Мом). МОП-транзисторы SiC серии M3S обеспечивают оптимальную производительность при работе от 18-вольтового затвора, но также xорошо работают и от 15-вольтового затвора. Это устройство оснащено теxнологией planar, которая надежно работает с приводом с отрицательным напряжением на затворе и отключает всплески напряжения на затворе.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 329 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 51 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 13 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40мом |