NTB Type N-Channel MOSFET, 70 A, 650 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG023N065M3S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056520294
- Артикул
- NTBG023N065M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Series
- NTB
- Pin Count
- 7
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 2 556,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковые МОП-транзисторы ON SiC оптимизированы для быстрой коммутации. Теxнология Planar надежно работает с приводом с отрицательным напряжением на затворе и отключает всплески напряжения на затворе. Она обеспечивает оптимальную производительность при работе с приводом на 18 В, но также xорошо работает с приводом на 15 В.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Series | NTB |
| Pin Count | 7 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | TO-263 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | TO-263 |
| Forward Voltage Vf | 6V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI(on Second Level Interconnection) |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 263W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 69nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 23mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |