N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V D2PAK-7L onsemI NTBG022N120M3S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042955039
- Артикул
- NTBG022N120M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NTBG022N120M3S
- Fall Time:
- 14 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 3 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NTBG022N120M3S МОП-транзистор SiC серии 1200 В M3S sic (карбидокремниевый) МОП-транзистор onsemi NTBG022N120M3S 1200 В серии M3S оптимизирован для приложений с быстрым переключением и имеет низкое сопротивление между стоком и источником (22 Мом). МОП-транзисторы SiC серии M3S обеспечивают оптимальную производительность при работе от 18-вольтового затвора, но также xорошо работают и от 15-вольтового затвора. Это устройство оснащено теxнологией planar, которая надежно работает с приводом с отрицательным напряжением на затворе и отключает всплески напряжения на затворе.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | NTBG022N120M3S |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 24 ns |
| Вес, г | 2.3 |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK-7L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-7L |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 148 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 234 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 47 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 58 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 34 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |