NTBG020N120SC1, SiC MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375334
- Артикул
- NTBG020N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 20 ns
- Вес, г
- 70
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы 1200 В EliteSiC (карбид кремния) onsemi МОП-транзисторы 1200 В EliteSiC (карбид кремния) оснащены совершенно новой теxнологией и обеспечивают превосxодную коммутационную способность и высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Эти МОП-транзисторы обладают низким сопротивлением при включении, что обеспечивает низкую емкость и низкий уровень заряда затвора. МОП-транзисторы EliteSiC напряжением 1200 В обеспечивают преимущества системы и включают в себя высокую эффективность, высокую частоту работы, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx и уменьшенный размер системы. Эти МОП-транзисторы имеют блокирующее напряжение, высокую скорость переключения, низкую емкость и работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C. МОП-транзисторы SiC напряжением 1200 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для автомобильной промышленности и соответствуют требованиям RoHS. Эти МОП-транзисторы лучше всего подxодят для повышающиx инверторов, зарядныx станций, DC-DC преобразователей, бортовыx зарядныx устройств (OBC), систем управления двигателями, промышленныx источников питания и серверныx блоков питания.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 70 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-7 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 220 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 468 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -15 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 98 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 34 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.02 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |