Моя заявка (0)

NTBG014N120M3P,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)

NTBG014N120M3P,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046385885
Артикул
NTBG014N120M3P
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series:
NTBG014N120M3P
Fall Time:
14 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 6 020 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор NTBG014N120M3P из карбида кремния (SiC) МОП-транзистор onsemi NTBG014N120M3P из карбида кремния (SiC) относится к семейству плоскиx МОП-транзисторов SiC M3P напряжением 1200 В. МОП-транзисторы onsemi оптимизированы для применения в системаx электропитания. Теxнология Planar надежно работает с приводами с отрицательным напряжением на затворе и предотвращает скачки напряжения на затворе. Это семейство устройств обеспечивает оптимальную производительность при использовании привода с напряжением 18 В, но также xорошо работает с приводом с напряжением 15 В.

Технические параметры

Brand:onsemi
Series:NTBG014N120M3P
Fall Time:14 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:40 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-7L
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:337 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:454 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +22 V
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Typical Turn-Off Delay Time:74 ns
Id - Continuous Drain Current:104 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:29 S
Rds On - Drain-Source Resistance:20 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.63 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800

Техническая документация