Моя заявка (0)

NTB5D0N15MC, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

NTB5D0N15MC, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 139 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009018705
Артикул
NTB5D0N15MC
Бренд
ON Semiconductor***
Series
NTB5D0N
Pin Count
3
Вес, г
0.2
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 989 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП−транзистор ON Semiconductor мощностью 150 В потреблял ток стока 139 А, используемый в одном N-канальном транзисторе. Он был изготовлен с использованием передовой теxнологии power trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов.

Технические параметры

SeriesNTB5D0N
Pin Count3
Вес, г0.2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeD2PAK(TO-263)
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation214Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage150 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance0.005 Ω
Drain Source On State Resistance0.0038Ом
Maximum Continuous Drain Current139 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока139А
Пороговое Напряжение Vgs4.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А139
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт214
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0038 Ом

Техническая документация