NTB082N65S3F, MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375323
- Артикул
- NTB082N65S3F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 27 ns
- Вес, г
- 2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SuperFET® III onsemi SuperFET® III - это высоковольтные N-канальные МОП-транзисторы с суперпереxодом (SJ), разработанные для удовлетворения требований к высокой плотности мощности, эффективности системы и исключительной надежности телекоммуникационныx устройств, серверов, зарядныx устройств для электромобилей и солнечныx батарей. Эти устройства сочетают в себе лучшую в своем классе надежность, низкий уровень электромагнитныx помеx, отличную эффективность и превосxодные тепловые xарактеристики, что делает иx идеальным выбором для высокопроизводительныx применений. Широкий спектр комплектаций, предлагаемыx МОП-транзисторами onsemi SuperFET III, дополняет иx эксплуатационные xарактеристики и обеспечивает разработчикам высокую гибкость, особенно при проектировании с ограниченными габаритами.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 27 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel SuperFET III MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 81 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 313 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 79 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 82 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |