NTA7002NT1G, Транзистор: N-MOSFET; 30В; 154мА; 300мВт; SC75
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017545283
- Артикул
- NTA7002NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 0.9mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 6,04 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 154мА, 0.3Вт
Технические параметры
| Width | 0.9mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SC-75 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.154 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3Ω@4.5V, 10mA |