Моя заявка (0)
NTA4153NT3G, Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A 3-Pin SOT-416

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002222552
Артикул
NTA4153NT3G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Category
Small Signal
Mounting
Surface Mount
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 1800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 20V 0,915A с 3-контактным разъемом SOT-416

Технические параметры

PPAPNo
CategorySmall Signal
MountingSurface Mount
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
ConfigurationSingle
Package Width0.8
Package Length1.6
Supplier PackageSOT-416
Maximum IDSS (uA)0.1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)7.6
Typical Rise Time (ns)4.4
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)300
Typical Gate Charge @ 10V (nC)1.82
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)1.82@4.5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±6
Typical Output Capacitance (pF)16
Typical Turn-On Delay Time (ns)3.7
Maximum Drain-Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)25
Maximum Diode Forward Voltage (V)1.1
Typical Diode Forward Voltage (V)0.67
Typical Gate to Drain Charge (nC)0.42
Maximum Gate Threshold Voltage (V)1.1
Minimum Gate Threshold Voltage (V)0.45
Typical Gate Threshold Voltage (V)0.76
Typical Gate to Source Charge (nC)0.3
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)110@16V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)230@4.5V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)1000
Maximum Positive Gate-Source Voltage (V)6
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)1.3
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)12@16V
Пороговое напряжение на затворе1.5
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.915
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация