NTA4153NT1G, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,915А, 0,3Вт, SC75
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022268832
- Артикул
- NTA4153NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.6mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.03
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 10,94 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,915А, 0,3Вт, SC75
Технические параметры
| Width | 1.6mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SC-75 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | однопереходный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.82 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 915 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.915 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3Ω@4.5V, 10mA |