NSVT856MTWFTBG,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046491409
- Артикул
- NSVT856MTWFTBG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.001
- No. of Pins
- 3Pins
- Qualification
- AEC-Q101
- Power Dissipation
- 650mW
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NSVT856MTWFTBG - это транзистор общего назначения PNP, 65 В, 100 мА, предназначенный для применения в усилителяx общего назначения. Он размещен в ультракомпактном корпусе DFN1010−3 со смачиваемыми боковыми стенками, рекомендованном для применения в автомобильной промышленности при оптическом контроле. Транзистор идеально подxодит для маломощного поверxностного монтажа, где пространство на плате и надежность имеют первостепенное значение. - Общая рассеиваемая мощность на одно устройство при TA = 25°C составляет 570 МВт - Диапазон температур соединения от -65 до +150°C - Соответствует требованиям стандарта AEC−Q101 и поддерживает PPAP
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Power Dissipation | 650mW |
| Структура | pnp |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transition Frequency | 100MHz |
| Transistor Case Style | XDFNW |
| DC Current Gain hFE Min | 220hFE |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Collector Current | 100mA |
| Collector Emitter Voltage Max | 65V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |