NSVT65010MW6T1G, Bipolar Transistors - BJT Dual Matched PNP Tra
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004652376
- Артикул
- NSVT65010MW6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Структура
- pnp
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 28,89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Dual Matched PNP Tra
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |