Моя заявка (0)

NSVMUN5316DW1T1G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101

NSVMUN5316DW1T1G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002199006
Артикул
NSVMUN5316DW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
Yes
Type
NPN|PNP
Brand:
onsemi
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 8523 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans Digital BJT NPN/PNP 50 В 0,1 А 385 МВт 6-контактный SC-88 T/R Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

PPAPYes
TypeNPN|PNP
Brand:onsemi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveYes
Вес, г0.05
PCB changed6
Part StatusActive
Subcategory:Transistors
ConfigurationDual
Manufacturer:onsemi
Package Width1.25 mm
Product Type:Digital Transistors
Package Length2 mm
Qualification:AEC-Q101
Supplier PackageSC-88
Product Category:Digital Transistors
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Factory Pack Quantity:3000
Minimum DC Current Gain160@5mA@10V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
ПодкатегорияTransistors
Supplier Temperature GradeAutomotive
Торговая маркаON Semiconductor
Minimum DC Current Gain Range>=120
Maximum Power Dissipation (mW)385
Typical Input Resistance (kOhm)4.7
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)0.1
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25@0.3mA@10mA
Размер фабричной упаковки3000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация