NSVMUN5135DW1T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003131811
- Артикул
- NSVMUN5135DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- DTA123JD
- Вес, г
- 0.4
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS SC88 BR XSTR PNP
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | DTA123JD |
| Вес, г | 0.4 |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Power Dissipation | 385мВт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Структура | pnp |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Количество Выводов | 6 Выводов |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-363 |
| Полярность Транзистора | Двойной PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 0.047соотношение |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Полярность Цифрового Транзистора | Двойной PNP |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |