NSVMSD601-RT1G, Bipolar Transistors - BJT SS SC59 GP XSTR NPN PB FR
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375279
- Артикул
- NSVMSD601-RT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 23,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS SC59 GP XSTR NPN PB FR
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |