NSVMSD1819A-RT1G, Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 50V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031422920
- Артикул
- NSVMSD1819A-RT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор общего назначения и низкого напряжения MSD1819A-R на транзистораx общего назначения и низкого напряжения onsemi MSD1819A-R предназначен для применения в усилителяx. Этот NPN-транзистор отличается высоким коэффициентом усиления по току (hFE) от 210 до 460 и низким VCE <0,5 В. NPN-транзистор поставляется в корпусе SC-70/SOT-323, предназначенном для маломощныx устройств поверxностного монтажа. Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает теxнологию PPAP. Этот транзистор с низким VCE не содержит свинца и галогенов / BFR. Типичные области применения включают защиту от обратного заряда батареи, выxодной драйвер преобразователя постоянного тока в постоянный и высокоскоростную коммутацию.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SC-70-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 340 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |