NSVMMUN2232LT1G, 15@5mA,10V 250mV@10mA,1mA 1 NPN - Pre Biased 246mW 100mA 50V 500nA SOT-23-3 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074956030
- Артикул
- NSVMMUN2232LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.06
- Power Dissipation
- 400мВт
- DC Current Gain hFE Min
- 15hFE
- Квалификация
- AEC-Q101
Цена по запросу
(от 18,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.06 |
| Power Dissipation | 400мВт |
| DC Current Gain hFE Min | 15hFE |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Корпус РЧ Транзистора | SOT-23 |
| Полярность Транзистора | Single NPN |
| Резистор База-эмиттер R2 | 4.7кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 4.7кОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 1соотношение |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |