Моя заявка (0)

NSVMMUN2212LT1G, Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V

NSVMMUN2212LT1G, Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005547410
Артикул
NSVMMUN2212LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SOT23
Brand:
onsemi
Series:
MMUN2212L
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 13,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseSOT23
Brand:onsemi
Series:MMUN2212L
MountingSMD
Вес, г0.01
Applicationautomotive industry
Current gain60…100
ManufacturerONSEMI
Polarisationbipolar
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Base resistor22kΩ
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Input Resistor22kΩ
Qualification:AEC-Q101
Resistor Ratio1
Kind of packagereel, tape
Mounting Style:SMD/SMT
Collector current0.1A
Power Dissipation400мВт
Product Category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
Kind of transistorBRT
Type of transistorNPN
Структураnpn
Base-emitter resistor22kΩ
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)246mW
DC Current Gain hFE Min60hFE
КвалификацияAEC-Q101
Collector-emitter voltage50V
Continuous Collector Current100мА
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)60@10mA, 10V
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)2.5V@100uA, 5.0V
Output Voltage (VO(on)@Io/Ii)200mV
Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce)1.2V
Collector Emitter Voltage Max NPN50В
Количество Выводов3 Вывода
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSOT-23
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность ТранзистораSingle NPN
Резистор База-эмиттер R222кОм
Резистор На входе Базы R122кОм
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R21соотношение
Максимальная Рабочая Температура150°C
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный NPN
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101

Техническая документация