NSVMMBT5401M3T5G, Bipolar Transistors - BJT 150 V, 60 mA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066164580
- Артикул
- NSVMMBT5401M3T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 24,45 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 150 V, 60 mA
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 130 mW |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 60 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |