NSVMMBT5401LT3G, Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002184857
- Артикул
- NSVMMBT5401LT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 2900 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 240 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 160 V |
| Continuous Collector Current: | -500 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 60 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |