Моя заявка (0)

NSVMMBT3906TT1G, Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL GENERAL

NSVMMBT3906TT1G, Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL GENERAL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006223653
Артикул
NSVMMBT3906TT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Grade
Automotive
Brand:
onsemi
Вес, г
0.0025
Power - Max
200 mW
Цена по запросу
(от 23,21 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор PNP 40 В 200 мА 250 МГц 200 МВт для поверxностного монтажа SC-75, SOT-416

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:onsemi
Вес, г0.0025
Power - Max200 mW
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / CaseSC-75, SOT-416
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:3000
Frequency - Transition250MHz
Pd - Power Dissipation:200 mW
Supplier Device PackageSC-75, SOT-416
Gain Bandwidth Product fT:250 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:40 V
Maximum DC Collector Current:200 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max)200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:400 mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40 V

Техническая документация