Моя заявка (0)

NSVMMBT2907AM3T5G, Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R Automotive AEC-Q101

NSVMMBT2907AM3T5G, Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002302428
Артикул
NSVMMBT2907AM3T5G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Серия
MMBT2907AM3
Структура
pnp
Технология
Si
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 1900 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SS GP PNP TRANSISTOR

Технические параметры

Вес, г1
СерияMMBT2907AM3
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-723-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности640 mW
Размер фабричной упаковки8000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток600 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора600 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz

Техническая документация