NSVF6003SB6T1G, Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 800mW Automotive AEC-Q101 6-Pin CPH T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002296830
- Артикул
- NSVF6003SB6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 600 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | CPH-6 |
| Transistor Type: | Bipolar |
| Power Dissipation | 800мВт |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Структура | npn |
| Operating Frequency: | 7 GHz |
| Transistor Polarity: | NPN |
| DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 2 V |
| Continuous Collector Current | 150мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 12В |
| Continuous Collector Current: | 150 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 150 mA |
| DC Ток Коллектора | 150мА |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 |
| DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
| Частота Перехода ft | 7ГГц |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 12 V |
| Корпус РЧ Транзистора | CPH |
| Рассеиваемая Мощность | 800мВт |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | CPH |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 12В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |