NSVF4020SG4T1G, Trans RF BJT NPN 8V 0.15A 400mW 4-Pin MCPH T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002296877
- Артикул
- NSVF4020SG4T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- Yes
- Type
- NPN
- Brand:
- onsemi
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans RF BJT NPN 8V 0.15A 400 МВт Автомобильный AEC-Q101 4-контактный MCPH T/R
Технические параметры
| PPAP | Yes |
| Type | NPN |
| Brand: | onsemi |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | Yes |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Configuration | Single Dual Emitter |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-82FL-4 |
| Supplier Package | MCPH |
| Transistor Type: | Bipolar |
| Power Dissipation | 400мВт |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Структура | npn |
| Operating Frequency: | 16 GHz |
| Transistor Polarity: | NPN |
| DC Current Gain hFE Min | 60hFE |
| Minimum DC Current Gain | 60@50mA@5V |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Maximum Noise Figure (dB) | 1.8 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 2 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operational Bias Conditions | 5V/50mA |
| Continuous Collector Current | 150мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 8В |
| Continuous Collector Current: | 150 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 150 mA |
| Minimum DC Current Gain Range | 50 to 120 |
| DC Ток Коллектора | 150мА |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 400 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 |
| DC Усиление Тока hFE | 60hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.15 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 2 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 15 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 16000(Typ) |
| Частота Перехода ft | 16ГГц |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 8 V |
| Maximum Emitter Cut-Off Current (nA) | 1000 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 8 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 1000 |
| Maximum DC Collector Current Range (A) | 0.12 to 0.5 |
| Корпус РЧ Транзистора | SC-82FL |
| Рассеиваемая Мощность | 400мВт |
| Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) | <20 |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-82FL |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 8В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |