Моя заявка (0)

NSVF3007SG3T1G, 1uA 12V 350mW 60@5mA,5V 30mA 8GHz NPN -55°C~+150°C@(Tj) SC-70FL BIpolar TransIstors - BJT

NSVF3007SG3T1G, 1uA 12V 350mW 60@5mA,5V 30mA 8GHz NPN -55°C~+150°C@(Tj) SC-70FL BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017637414
Артикул
NSVF3007SG3T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.1
Transistor Type
NPN
Power Dissipation
350мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 480 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.1
Transistor TypeNPN
Power Dissipation350мВт
Структураnpn
Collector Current (Ic)30mA
Power Dissipation (Pd)350mW
DC Current Gain hFE Min60hFE
КвалификацияAEC-Q101
Transition Frequency (fT)8GHz
Continuous Collector Current30мА
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)60@5mA, 5V
Collector Emitter Voltage Max12В
DC Ток Коллектора30мА
Collector Cut-Off Current (Icbo)1uA
DC Усиление Тока hFE60hFE
Частота Перехода ft8ГГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSC-70FL
Рассеиваемая Мощность350мВт
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)12V
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSC-70FL
Напряжение Коллектор-Эмиттер12В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация