Моя заявка (0)

NSVF3007SG3T1G, Trans RF BJT NPN 12V 0.03A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin MCPH T/R

NSVF3007SG3T1G, Trans RF BJT NPN 12V 0.03A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin MCPH T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002296829
Артикул
NSVF3007SG3T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Transistor Type
NPN
Power Dissipation
350мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 45 ₽)
Минимальный заказ: 680 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Transistor TypeNPN
Power Dissipation350мВт
Структураnpn
Collector Current (Ic)30mA
Power Dissipation (Pd)350mW
DC Current Gain hFE Min60hFE
КвалификацияAEC-Q101
Transition Frequency (fT)8GHz
Continuous Collector Current30мА
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)60@5mA, 5V
Collector Emitter Voltage Max12В
DC Ток Коллектора30мА
Collector Cut-Off Current (Icbo)1uA
DC Усиление Тока hFE60hFE
Частота Перехода ft8ГГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSC-70FL
Рассеиваемая Мощность350мВт
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)12V
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораSC-70FL
Напряжение Коллектор-Эмиттер12В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация