NSVBSS63LT1G, 110V 30@10mA,1.0V 225mW 100mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048304143
- Артикул
- NSVBSS63LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.03
- Серия
- BSS63L
- Корпус
- SOT-23(TO-236)
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 100V
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Серия | BSS63L |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 95 MHz |