NSVBCP56-10T3G, 100nA 80V 1.5W 63@150mA,2V 1A 130MHz 500mV@500mA,50mA NPN -65°C~+150°C@(Tj) SOT-223-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646326
- Артикул
- NSVBCP56-10T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Technology
- Si
- Вес, г
- 0.2
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.2 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| DC Current Gain HFE Max | 160 at 150 mA, 2 V |
| Gain Bandwidth Product FT | 130 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 63 at 150 mA, 2 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 130 |