NSVBC858BLT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005526570
- Артикул
- NSVBC858BLT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- BC858BL
- Структура
- pnp
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 13,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 30V
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | BC858BL |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 at - 2 mA at - 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at - 2 mA at - 5 V |