NSVBC857CWT1G, Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375219
- Артикул
- NSVBC857CWT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- BC856BWT1
- Power Dissipation
- 150мВт
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 13,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | BC856BWT1 |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 420hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| DC Усиление Тока hFE | 420hFE |
| Линейка Продукции | BC857 |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.9 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |