NSVBC848CLT1G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8003073760
Артикул: NSVBC848CLT1G
Бренд: ON Semiconductor***
Вес, г: 0.4
Серия: BC848CL
Корпус: SOT-23(TO-236)
Power Dissipation: 300мВт

Техническая информацияpdf, 236 КБ Техническая информацияpdf, 158 КБ

Цена по запросу

(от 16 ₽)

Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V

Технические параметры

Вес, г	0.4
Серия	BC848CL
Корпус	SOT-23(TO-236)
Power Dissipation	300мВт
Структура	npn
Технология	Si
Вид монтажа	SMD/SMT
DC Current Gain hFE Min	420hFE
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Подкатегория	Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Continuous Collector Current	100мА
Collector Emitter Voltage Max	30В
DC Усиление Тока hFE	420hFE
Линейка Продукции	BC846
Частота Перехода ft	100МГц
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	800 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	420 at 2 mA, 5 V
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	30
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz

Техническая документация

Техническая информацияpdf, 236 КБ Техническая информацияpdf, 158 КБ