Моя заявка (0)

NSVBC817-16LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 500мА; 225мВт; SOT23

NSVBC817-16LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 500мА; 225мВт; SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017549135
Артикул
NSVBC817-16LT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Вес, г
0.1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 210 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:onsemi
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:onsemi
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Power Dissipation300мВт
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
DC Current Gain hFE Min100hFE
Pd - Power Dissipation:225 mW
DC Current Gain hFE Max:250
КвалификацияAEC-Q101
Gain Bandwidth Product fT:100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Continuous Collector Current500мА
Collector Emitter Voltage Max45В
Collector- Base Voltage VCBO:50 V
Maximum DC Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Усиление Тока hFE100hFE
Частота Перехода ft100МГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:700 mV
Полярность ТранзистораNPN
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В45

Техническая документация