NSV60601MZ4T1G, Trans GP BJT NPN 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001336543
- Артикул
- NSV60601MZ4T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- PPAP
- Yes
- SVHC
- Yes
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 450 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V/6A LOW VCE(SAT)
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| PPAP | Yes |
| SVHC | Yes |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Серия | NSS60601MZ4 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.5 |
| Package Height | 1.57 |
| Package Length | 6.5 |
| Transistor Type | NPN |
| EDA / CAD Models | NSV60601MZ4T1G by Ultra Librarian |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Minimum DC Current Gain | 150@500mA@2V|120@1A@2V|100@2A@2V|50@6A@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 6 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V dc |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 6 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 60 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9@0.1A@1A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.04@2mA@0.1A|0.06@0.1A@1A|0.1@0.2A@2A|0.22@60mA@3A|0.3@0.6A@6A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.085 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 360 at 1 A at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |