NSV60600MZ4T1G, 100nA 60V 2W 120@1A,2V 6A 100MHz 100mV@2A,200mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223-4 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017618954
- Артикул
- NSV60600MZ4T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.21
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 58,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы PNP SOT-223-4 на 60 В 800 МВт, 120 В 1 А, 2 В 6 А - BJT ROHS
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.21 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 6A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 800mW |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 360 at-1 A, -2 V |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@1A, 2V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Maximum DC Collector Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 120 |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 100mV@2A, 200mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 6 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |