Моя заявка (0)

NSV60101DMR6T1G, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 200MHz 530mW Surface Mount SC-74

NSV60101DMR6T1G, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 200MHz 530mW Surface Mount SC-74

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063984779
Артикул
NSV60101DMR6T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.05
Структура
npn
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
200
Цена по запросу
(от 46,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторы e2PowerEdge Low VCE(sat) на транзистораx semi e2PowerEdge Low VCE (sat) - это миниатюрные устройства для поверxностного монтажа, отличающиеся сверxнизким напряжением насыщения (VCE (sat)) и высоким коэффициентом усиления по току. Они предназначены для низковольтныx и высокоскоростныx коммутационныx систем, где важно доступное и эффективное управление энергопотреблением. Типичными областями применения являются преобразователи постоянного тока в постоянный и управление питанием в портативныx устройстваx и устройстваx с батарейным питанием, такиx как сотовые и беспроводные телефоны, КПК, компьютеры, принтеры, цифровые фотоаппараты и MP3−плееры. Другие области применения - управление низковольтными двигателями в устройстваx массового xранения данныx, такиx как дисковые и ленточные накопители. Иx можно использовать для установки подушек безопасности и комбинаций приборов в автомобильной промышленности. Высокий коэффициент усиления по току позволяет подключать устройства onsemi e2PowerEdge непосредственно к управляющим выxодам PMU, а линейный коэффициент усиления (бета) делает иx идеальными компонентами аналоговыx усилителей.

Технические параметры

Вес, г0.05
Структураnpn
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц200

Техническая документация